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HB/Z 34--82變形高溫合金圓餅及盤件超聲波檢驗說明書
日期：2024-12-28 12:50
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摘要：
HB/Z 34--82變形高溫合金圓餅及盤件超聲波檢驗說明書
中華人民共和國第三機械工業部指導性技術文件
HB/Z 34--82
HB/Z 34--82
變形高溫合金圓餅及盤件超聲波檢驗說明書
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1使用范圍
1.1本說明書適用于制造航空發動機渦**用的變形高溫合金圓餅及盤件。
1.2本說明書所規定的檢驗方法和驗收標準是對變形高溫合金圓餅及盤件超聲波檢驗的一般性要求。對于不同的機種、不同的材料或工藝，可在此基礎上作適當的補充和修改，并在有關的技術文件中作出說明。
2要求
2.1與所檢驗圓餅或盤件同制造批的解剖件，其化學成分和組織等均應符合各該技術條件的要求。 __
2.2圓餅及盤件的兩端面應是平整的，光潔度相當于∨6，如進行切削加工，應采用圓頭刀具。
2.3將圓餅、盤件置于轉臺上按螺旋掃查方式進行檢查。圓餅必須采用水浸法檢查，水層距離的選擇應符合說明書HB/Z59《航空金屬材料及零件超聲縱波探傷說明書》的要求。盤件可采用水浸法也可采用接觸法檢查。
探傷儀2.4 超聲波--探頭的性能應符合說明書HB/Z59的要求。按本說明書進行變形高溫合金圓餅或盤件的檢查時，需用的頻率為5ＭＨz。換能器的直徑不得大于14mm。
2.5為了按說明書HB/Z59制造供調整儀器靈敏度用的標準試塊，要求訂貨方根據*終成品盤的尺寸及加工工藝，提供圓餅及盤件上下端面加工余量的尺寸。
2.6為便于確定圓餅的驗收，訂貨方應根據*終成品盤的尺寸及加工工藝提供在圓餅上輪緣區的位置。
3圓餅的檢驗
本說明書要求對每一變形高溫合金圓餅的每一端面均進行兩次檢查。**次是縱波垂直入射檢查，**次是與圓餅端面法線成5°夾角的縱波斜入射檢查。
3.1**次檢查---縱波垂直入射檢查
3.1.1按說明書HB/Z59中4.3條的規定用供調整儀器靈敏度用的兩塊標準試塊調整儀器靈敏度，調整用的標準試塊中平底孔的直徑為0.8mm。任何一塊的孔底反射波高均應等于或大于熒光屏飽和值的80%，在此調整情況下，儀器的動態范圍不得低于16dB。
3.1.2使圓餅在轉臺上轉動，使波束垂直圓餅端面，沿圓餅直徑方向移動探頭進行從一端到另一端的垂直入射檢查。掃查的線速度不得大于4m/min，掃查間距不得大于聲束有效直徑的1/3。
注：聲束有效直徑指的是將探頭在端面上（接觸法）或在規定的水層距離處（水浸法）沿直徑方向移過供調整儀器靈敏度用的標準試塊中埋藏深度較小的平底孔時，反射波高比**反射波高低6dB的兩點間的距離.
3.2**次檢查--在水中波束傾斜5°的縱波斜入射檢查。
3.2.1使波束垂直標準試塊的端面，按本說明書第3.1.1條的規定調整儀器靈敏度。
3.2.2使圓餅在轉臺上轉動，保持水層距離不變，使波束與圓餅端面法線成5°入射角。沿圓餅直徑方向移動探頭，進行從一端到另一端的斜入射縱波檢查。掃查的線速度和間距與本說明書第3.1.2條的規定相同。
4圓餅的驗收
在按本說明書3.1和3.2條的規定檢查時，符合下列各條的圓餅可以驗收：
4.1在輪緣部分的任何反射信號均比埋藏深度相同，直徑為3.2mm的平底孔在垂直入射時所測得的孔底反射小6dB或更多。
4.2在其余部位有反射信號，但均小于埋藏深度相同、直徑為1.2mm平底孔在垂直入射時所測得的孔底反射波高。
4.3反射體相互間的距離在任何方向上均不小于40mm，在每個圓餅上總數不超過6個，且不是長條形的。
4.4底面反射的波高與幾何形狀相同的正常材料相比沒有明顯的降低，底波位置也沒有前移。
5圓餅的拒收與處理
5.1不符合本說明書4.1-4.3條規定的圓餅，如果訂貨方不能確保反射體在以后的加工中可以除去，則應拒收。
5.2應對底波前移或有明顯降低的圓餅進行冶金分析，而后由供需雙方進行處理。
5.3對供應方確認反射信號是由組織不均勻性造成的且在以后的加工過程中可以得到改善;以及發現有本說明書沒有包括的情況時，應通知訂貨方共同處理。
6盤件的超聲波檢驗
6.1由已驗收圓餅制成的盤件可參照本說明書進行超聲波檢驗。
6.2本說明書3.2條所規定的**次檢查對于盤件來說應改為檢查底波損失情況。即使聲束垂直入射到正常組織盤的端面上，調整儀器靈敏度使一次底反射波高為熒光屏飽和值的80%，將受檢盤件放在轉臺上轉動，檢查各部位的底反射損失情況。
6.3不允許與幾何形狀相同的正常組織盤相比有大于6dB的底波降低。
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第三機械工業部發布 1982年5月1日實施
三機部六二一所提出 三機部六二一所起草
